功能描述：MOSFET N-CH 60V LFPAK56

制造商：nexperia usa inc.

系列：-

包装：剪切带（CT）

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：100A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.1V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：66.8nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：5026pF @ 25V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：167W（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：5.6 毫欧 @ 25A，10V

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：LFPAK56，Power-SO8

封装/外壳：SC-100，SOT-669

标准包装：1

PSMN5R8-30LL

PSMN5R8-30LL,115

PSMN5R8-40YS

PSMN5R8-40YS,115

PSMN5R9-30YL

PSMN5R9-30YL,115

PSMN6R0-25YLB

PSMN6R0-25YLB,115

PSMN6R0-30YL

PSMN6R0-30YL,115